Produsen semikonduktor Jerman, Infineon Technologies AG (IFNNY), telah memperkenalkan teknologi wafer gallium nitride (GaN) 300 mm pertama di dunia. Kemajuan inovatif ini diharapkan dapat mendorong pasar semikonduktor daya berbasis GaN secara signifikan.
Infineon berencana menampilkan wafer GaN 300 mm pertama di pameran electronica pada November 2024, yang akan berlangsung di Munich.
Perusahaan menyoroti bahwa produksi chip pada wafer 300 mm merupakan kemajuan teknologi yang signifikan dan jauh lebih efisien dibandingkan dengan wafer 200 mm. Diameter wafer yang lebih besar menghasilkan 2,3 kali lebih banyak chip per wafer.
Infineon telah berhasil memproduksi wafer GaN 300 mm menggunakan jalur percontohan terpadu di dalam fasilitas produksi silikon 300 mm yang ada di Villach, Austria.
Teknologi GaN 300 mm dapat memanfaatkan peralatan manufaktur silikon 300 mm yang ada, karena proses manufaktur untuk gallium nitride dan silikon cukup mirip.
Infineon menekankan bahwa jalur produksi silikon 300 mm volume tinggi saat ini sangat cocok untuk uji coba teknologi GaN yang andal.
Perusahaan bermaksud untuk lebih meningkatkan kapasitas GaN sesuai dengan permintaan pasar.
Semikonduktor daya berbasis GaN sedang diadopsi dengan cepat di berbagai sektor, termasuk aplikasi industri, otomotif, konsumen, komputasi, dan komunikasi. Aplikasi ini mencakup catu daya untuk sistem AI, inverter tenaga surya, pengisi daya dan adaptor, serta sistem kontrol motor.
Jochen Hanebeck, CEO Infineon, berkomentar, "Terobosan teknologi ini akan menjadi pengubah permainan industri dan memungkinkan kami untuk mengungkap potensi penuh dari gallium nitride. Hampir satu tahun setelah mengakuisisi GaN Systems, kami sekali lagi menunjukkan komitmen kami untuk memimpin pasar GaN yang berkembang pesat. Sebagai pemimpin dalam sistem daya, Infineon mahir dalam ketiga bahan utama: silikon, silicon carbide, dan gallium nitride."
Di Jerman, saham Infineon diperdagangkan pada 28,89 euro, mencerminkan peningkatan sebesar 1,30 persen.